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2D materials for nanoelectronics (Record no. 15258)
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000 -Etiquette de la notice | |
---|---|
Leader | 04232cam0a22005171n 4500 |
009 - PPN | |
ppn | 258392509 |
003 - Identifiant de la notice | |
Identifiant | http://www.sudoc.fr/258392509 |
005 - Identifiant de la version | |
Identifiant | 20250630092513.0 |
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN) | |
ISBN | 9780367783037 |
Qualificatif | br. |
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN) | |
ISBN | 978-1-4987-0417-5 |
Qualificatif | rel. |
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN) | |
ISBN | 0-367-78303-7 |
073 #0 - EAN | |
Numéro normalisé | 9780367783037 |
099 ## - ESPCI local | |
Type de document Koha | Ouvrage |
ID Alexandrie | ALEX30343 |
100 ## - Données générales de traitement | |
Données générales de traitement | 20211110d2016 u y0gery50 ba |
101 0# - Langue de la ressource | |
Langue du texte, de la bande son, etc. | anglais |
-- | 639-2 |
102 ## - Pays de publication ou de production | |
Pays de publication | Etats-Unis |
105 ## - Zone de données codées : textes, monographies | |
Données codées sur les monographies textuelles | y ||||000|y |
181 ## - Zone de données codées : Forme de la ressource | |
Données de liaison entre champs | z01 |
Autre référentiel utilisé pour coder la forme du contenu | texte |
Code du référentiel | rdacontent |
181 #1 - Zone de données codées : Forme de la ressource | |
Données de liaison entre champs | z01 |
Forme du contenu selon l’ISBD sous forme codée | i# |
Qualificatif(s) du contenu selon l’ISBD sous forme codée | xxxe## |
182 ## - Zone de données codées : type de média | |
Données de liaison entre champs | z01 |
Autre référentiel utilisé pour coder le type de médiation | sans média |
Code du référentiel | rdamedia |
182 #1 - Zone de données codées : type de média | |
Données de liaison entre champs | z01 |
Type de médiation selon l’ISBD sous forme codée | sans média |
183 #1 - Zone de données codées : Type de carrière | |
Données de liaison entre champs | z01 |
Type de support sous forme codée | nga |
Code du référentiel | RDAfrCarrier |
200 1# - Titre et mention de responsabilité | |
Titre propre | 2D materials for nanoelectronics |
Première mention de responsabilité | edited by Michel Houssa,... Athanasios Dimoulas,... Alessandro Molle,... |
214 #0 - Mentions de production, publication, diffusion et manufacture | |
Lieu de publication, production, distribution/diffusion, fabrication | Boca Raton |
-- | London |
-- | New York |
Nom de l’éditeur, du producteur, distributeur/diffuseur, fabricant | CRC Press, Taylor & Francis Group |
214 #4 - Mentions de production, publication, diffusion et manufacture | |
Date de publication, production, distribution/diffusion, fabrication, copyright | C 2016 |
215 ## - Description physique | |
Type de présentation matérielle et importance matérielle | 1 vol. (XVI-467 p.) |
Autres caractéristiques matérielles | Ill. |
Dimensions | 24 cm |
225 0# - Collection | |
Titre de la collection | Series in materials science and engineering |
305 ## - Note sur l'édition et l'histoire bibliographique | |
Texte de la note | Edition brochée en 2020 |
320 ## - Bibliographies internes/Note d'index | |
Texte de la note | Bibliogr. en fin de chapitres; Index |
327 0# - Note de contenu | |
Texte de la note | Theory of the structural, electronic and transport properties of graphene / Massoud Ramezani Masir, Ortwin Leenaerts, Bart Partoens, and François Peeters |
-- | Epitaxial graphene: progress on synthesis and device integration / Joshua Robinson, Matthew Hollander, and Suman Datta |
-- | Metal contacts to graphene / Akira Toriumi and Kosuke Nagashio |
-- | Graphene for RF analog applications / Max Lemme and Frank Schwierz |
-- | High-field and thermal transport in graphene / Zuanyi Li, Vincent Dorgan, Andrey Serov, and Eric Pop |
-- | Theoretical study of transition metal dichalcogenides / Emilio Scalise |
-- | Physico-chemical characterization of MoS2/metal and MoS2/oxide interfaces / Stephen McDonnell, Rafik Addou, Christopher Hinkle, and Robert Wallace |
-- | Transition metal dichalcogenide Schottky barrier transistors: a device analysis and material comparison / Joerg Appenzeller, Feng Zhang, Saptarshi Das, and Joachim Knoch |
-- | TMD-based photodetectors, light emitters and photovoltaics / Thomas Mueller |
-- | Optoelectronics, mechanical properties and strain engineering in MoS2 / Andres Castellanos-Gomez, Michele Buscema, Herre S.J. van der Zant, and Gary A. Steele |
-- | Device physics and device mechanics for flexible TMD and phosphorene thin film transistors / Hsiao-Yu Chang, Weinan Zhu, and Deji Akinwande |
-- | Structural, electronic and transport properties of silicene and germanene / Michel Houssa, Valery Afanas'ev, and André Stesmans |
-- | Group IV semiconductor 2D materials: the case of silicene and germanene / Alessandro Molle, Dimitra Tsoutsou, and Athanasios Dimoulas |
-- | Stannene: a likely 2D topological insulator / William Vandenberghe, Ana Suarez Negreira, and Massimo Fischetti |
-- | Phosphorene: a novel 2D material for future nanoelectronics and optoelectronics / Yexin Deng, Wei Luo, Han Liu, Yuchen Du, Kun Xu, and Peide Ye |
-- | 2D-crystal based heterostructures for nanoelectronics / Cinzia Casiraghi and Freddie Withers |
330 ## - Résumé ou extrait | |
Texte de la note | "Major developments in the semiconductor industry are on the horizon through the use of 2D materials such as graphene and transition metal dichalcogenides for integrated circuits. This book provides the first comprehensive treatment of the field with an emphasis on applications in nanoelectronic devices. Chapters are divided by the three major families of such materials, covering graphene for analog and photonic applications, MoS2 (molybdenum disulfide) for logic applications and novel materials such as silicene, germanene, stanene and phosphorene |
410 ## - Collection | |
Identifiant de la notice bibliographique liée | 145461246 |
410 ## - Collection | |
Titre de l'oeuvre | Series in materials science and engineering (Online) |
ISSN | 2155-2282 |
517 ## - Autres variantes du titre | |
Autre variante du titre | Two D materials for nanoelectronics |
517 ## - Autres variantes du titre | |
Autre variante du titre | Two-dimensional materials for nanoelectronics |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Élément d'entrée | Nanostructured materials |
Code du format utilisé | lc |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Élément d'entrée | Graphene |
Code du format utilisé | lc |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Élément d'entrée | Nanoelectronics |
Code du format utilisé | lc |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Élément d'entrée | Nanoelektronik |
Code du format utilisé | lc |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Identifiant de la notice d'autorité | 136991629 |
Élément d'entrée | Nanoélectronique |
Code du format utilisé | rameau |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Identifiant de la notice d'autorité | 125142455 |
Élément d'entrée | Graphène |
Code du format utilisé | rameau |
606 ## - Sujet - Nom commun | |
Identifiant de la notice d'autorité | 033882118 |
Élément d'entrée | Matériaux nanostructurés |
Code du format utilisé | rameau |
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire | |
Identifiant de la notice d'autorité | 086189433 |
Élément d'entrée | Houssa |
Partie du nom autre que l'élément d'entrée | Michel |
Code de fonction | Editeur |
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire | |
Identifiant de la notice d'autorité | 191234192 |
Élément d'entrée | Dimoulas |
Partie du nom autre que l'élément d'entrée | Athanasios |
Dates | 19..-.... |
Code de fonction | Editeur |
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire | |
Identifiant de la notice d'autorité | 258392533 |
Élément d'entrée | Molle |
Partie du nom autre que l'élément d'entrée | Alessandro |
Code de fonction | Editeur |
Perdu | Date de création | Site de rattachement | Site actuel | Localisation | Code à barres | Cote | Exclu du prêt | Type de document Koha |
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30/06/2025 | La bibliothèque de l'ESPCI | La bibliothèque de l'ESPCI | Salle de lecture | PS-198 | PS-198 | Ouvrage |