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2D materials for nanoelectronics (Record no. 15258)

MARC details
000 -Etiquette de la notice
Leader 04232cam0a22005171n 4500
009 - PPN
ppn 258392509
003 - Identifiant de la notice
Identifiant http://www.sudoc.fr/258392509
005 - Identifiant de la version
Identifiant 20250630092513.0
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN)
ISBN 9780367783037
Qualificatif br.
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN)
ISBN 978-1-4987-0417-5
Qualificatif rel.
010 ## - Numéro international normalisé du livre (ISBN)
ISBN 0-367-78303-7
073 #0 - EAN
Numéro normalisé 9780367783037
099 ## - ESPCI local
Type de document Koha Ouvrage
ID Alexandrie ALEX30343
100 ## - Données générales de traitement
Données générales de traitement 20211110d2016 u y0gery50 ba
101 0# - Langue de la ressource
Langue du texte, de la bande son, etc. anglais
-- 639-2
102 ## - Pays de publication ou de production
Pays de publication Etats-Unis
105 ## - Zone de données codées : textes, monographies
Données codées sur les monographies textuelles y ||||000|y
181 ## - Zone de données codées : Forme de la ressource
Données de liaison entre champs z01
Autre référentiel utilisé pour coder la forme du contenu texte
Code du référentiel rdacontent
181 #1 - Zone de données codées : Forme de la ressource
Données de liaison entre champs z01
Forme du contenu selon l’ISBD sous forme codée i#
Qualificatif(s) du contenu selon l’ISBD sous forme codée xxxe##
182 ## - Zone de données codées : type de média
Données de liaison entre champs z01
Autre référentiel utilisé pour coder le type de médiation sans média
Code du référentiel rdamedia
182 #1 - Zone de données codées : type de média
Données de liaison entre champs z01
Type de médiation selon l’ISBD sous forme codée sans média
183 #1 - Zone de données codées : Type de carrière
Données de liaison entre champs z01
Type de support sous forme codée nga
Code du référentiel RDAfrCarrier
200 1# - Titre et mention de responsabilité
Titre propre 2D materials for nanoelectronics
Première mention de responsabilité edited by Michel Houssa,... Athanasios Dimoulas,... Alessandro Molle,...
214 #0 - Mentions de production, publication, diffusion et manufacture
Lieu de publication, production, distribution/diffusion, fabrication Boca Raton
-- London
-- New York
Nom de l’éditeur, du producteur, distributeur/diffuseur, fabricant CRC Press, Taylor & Francis Group
214 #4 - Mentions de production, publication, diffusion et manufacture
Date de publication, production, distribution/diffusion, fabrication, copyright C 2016
215 ## - Description physique
Type de présentation matérielle et importance matérielle 1 vol. (XVI-467 p.)
Autres caractéristiques matérielles Ill.
Dimensions 24 cm
225 0# - Collection
Titre de la collection Series in materials science and engineering
305 ## - Note sur l'édition et l'histoire bibliographique
Texte de la note Edition brochée en 2020
320 ## - Bibliographies internes/Note d'index
Texte de la note Bibliogr. en fin de chapitres; Index
327 0# - Note de contenu
Texte de la note Theory of the structural, electronic and transport properties of graphene / Massoud Ramezani Masir, Ortwin Leenaerts, Bart Partoens, and François Peeters
-- Epitaxial graphene: progress on synthesis and device integration / Joshua Robinson, Matthew Hollander, and Suman Datta
-- Metal contacts to graphene / Akira Toriumi and Kosuke Nagashio
-- Graphene for RF analog applications / Max Lemme and Frank Schwierz
-- High-field and thermal transport in graphene / Zuanyi Li, Vincent Dorgan, Andrey Serov, and Eric Pop
-- Theoretical study of transition metal dichalcogenides / Emilio Scalise
-- Physico-chemical characterization of MoS2/metal and MoS2/oxide interfaces / Stephen McDonnell, Rafik Addou, Christopher Hinkle, and Robert Wallace
-- Transition metal dichalcogenide Schottky barrier transistors: a device analysis and material comparison / Joerg Appenzeller, Feng Zhang, Saptarshi Das, and Joachim Knoch
-- TMD-based photodetectors, light emitters and photovoltaics / Thomas Mueller
-- Optoelectronics, mechanical properties and strain engineering in MoS2 / Andres Castellanos-Gomez, Michele Buscema, Herre S.J. van der Zant, and Gary A. Steele
-- Device physics and device mechanics for flexible TMD and phosphorene thin film transistors / Hsiao-Yu Chang, Weinan Zhu, and Deji Akinwande
-- Structural, electronic and transport properties of silicene and germanene / Michel Houssa, Valery Afanas'ev, and André Stesmans
-- Group IV semiconductor 2D materials: the case of silicene and germanene / Alessandro Molle, Dimitra Tsoutsou, and Athanasios Dimoulas
-- Stannene: a likely 2D topological insulator / William Vandenberghe, Ana Suarez Negreira, and Massimo Fischetti
-- Phosphorene: a novel 2D material for future nanoelectronics and optoelectronics / Yexin Deng, Wei Luo, Han Liu, Yuchen Du, Kun Xu, and Peide Ye
-- 2D-crystal based heterostructures for nanoelectronics / Cinzia Casiraghi and Freddie Withers
330 ## - Résumé ou extrait
Texte de la note "Major developments in the semiconductor industry are on the horizon through the use of 2D materials such as graphene and transition metal dichalcogenides for integrated circuits. This book provides the first comprehensive treatment of the field with an emphasis on applications in nanoelectronic devices. Chapters are divided by the three major families of such materials, covering graphene for analog and photonic applications, MoS2 (molybdenum disulfide) for logic applications and novel materials such as silicene, germanene, stanene and phosphorene
410 ## - Collection
Identifiant de la notice bibliographique liée 145461246
410 ## - Collection
Titre de l'oeuvre Series in materials science and engineering (Online)
ISSN 2155-2282
517 ## - Autres variantes du titre
Autre variante du titre Two D materials for nanoelectronics
517 ## - Autres variantes du titre
Autre variante du titre Two-dimensional materials for nanoelectronics
606 ## - Sujet - Nom commun
Élément d'entrée Nanostructured materials
Code du format utilisé lc
606 ## - Sujet - Nom commun
Élément d'entrée Graphene
Code du format utilisé lc
606 ## - Sujet - Nom commun
Élément d'entrée Nanoelectronics
Code du format utilisé lc
606 ## - Sujet - Nom commun
Élément d'entrée Nanoelektronik
Code du format utilisé lc
606 ## - Sujet - Nom commun
Identifiant de la notice d'autorité 136991629
Élément d'entrée Nanoélectronique
Code du format utilisé rameau
606 ## - Sujet - Nom commun
Identifiant de la notice d'autorité 125142455
Élément d'entrée Graphène
Code du format utilisé rameau
606 ## - Sujet - Nom commun
Identifiant de la notice d'autorité 033882118
Élément d'entrée Matériaux nanostructurés
Code du format utilisé rameau
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire
Identifiant de la notice d'autorité 086189433
Élément d'entrée Houssa
Partie du nom autre que l'élément d'entrée Michel
Code de fonction Editeur
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire
Identifiant de la notice d'autorité 191234192
Élément d'entrée Dimoulas
Partie du nom autre que l'élément d'entrée Athanasios
Dates 19..-....
Code de fonction Editeur
702 #1 - Nom de personne - mention de responsabilité secondaire
Identifiant de la notice d'autorité 258392533
Élément d'entrée Molle
Partie du nom autre que l'élément d'entrée Alessandro
Code de fonction Editeur
Holdings
Perdu Date de création Site de rattachement Site actuel Localisation Code à barres Cote Exclu du prêt Type de document Koha
  30/06/2025 La bibliothèque de l'ESPCI La bibliothèque de l'ESPCI Salle de lecture PS-198 PS-198   Ouvrage